Samsung и SK Hynix модернизируют заводы в Китае
Ведущие южнокорейские производители полупроводников Samsung Electronics и SK Hynix начали модернизацию своих мощностей в Китае. Целью является производство более сложных чипов NAND flash для удовлетворения растущего спроса на AI и противодействия конкуренции со стороны китайского производителя Yangtze Memory Technologies Co (YMTC).
Samsung планирует переоборудовать свой завод в Сиане на производство 286-слойных чипов V9 NAND. По данным источников, компания стремится достичь объема производства в 5 000 пластин в месяц в декабре этого года с последующим ростом до 40 000 пластин к декабрю 2027 года. В Samsung заявили, что модернизация осуществляется в соответствии с экспортными правилами США и направлена на удовлетворение спроса глобальных клиентов, включая рынок США.
SK Hynix в настоящее время рассматривает возможность перехода на производство NAND с 240 слоями или более на своих объектах в Даляне. Сейчас на этой площадке производятся продукты со 192 слоями. Компания также ведет обсуждения с администрацией Trump относительно планов строительства нового завода NAND в США.
Процесс модернизации происходит в условиях экспортного контроля США, введенного в 2022 году. Компании обязаны ежегодно получать лицензии от США для установки оборудования, в частности машин для травления. Bureau of Industry and Security заявило, что не имеет намерения предоставлять лицензии на расширение мощностей или технологическое обновление иностранных заводов в Китае в 2025 году.